下列何者對於快閃記憶體（flash memory）的敘述錯誤？

(A) NOR Flash 可對任意單獨位址隨機讀寫
(B) NOR Flash 通常用來儲存程式碼
(C) NAND Flash 有較高的位元密度
(D) NAND Flash 可對任意單獨位址隨機讀寫
答案：D

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